DeepLightSeekتعريف:
طريقة تستند إلى تأثير التركيز الذاتي لقياس قوة كير غير الخطية للمواد
Zتقنية قياس المسح الضوئي تستخدم عادة لقياس كثافة كير غير الخطية (أي مؤشر الانكسار غير الخطي) للمواد البصريةn2）. المبدأ هو نقل عينة المادة التي سيتم اختبارها من خلال تركيز شعاع الليزر وقياس نصف قطر شعاع (أو كثافة على المحور البصري) في نقطة معينة وراء العينة. بسبب تأثير التركيز الذاتي ، ستتغير هذه الكميات ، وبالتالي الحصول على وظيفة نصف قطر الشعاع (أو الكثافة على المحور البصري) فيما يتعلق بموقع العينة.
كما هو مبين في الشكلواحدوكما هو مبين، فهي شائعةZجهاز قياس المسح الضوئي. إذا كان مؤشر الانكسار غير الخطي إيجابي ووضعت العينة وراء نقطة التركيز ، فإن تأثير التركيز الذاتي سيقلل من اختلاف الشعاع ، وبالتالي زيادة قوة إشارة الكاشف. إذا وضعت العينة أمام نقطة التركيز ، فستتحرك نقطة التركيز إلى اليسار ، وسوف يقلل اختلاف الشعاع القوي بعد التركيز من كثافة إشارة الكاشف. يمكن حساب حجم مؤشر الانكسار غير الخطي من العلاقة الوظيفية بين كثافة إشارة الكاشف المقاسة وموقع العينة.
(صورة1) زمخطط الإعداد التجريبي لقياس المسح الضوئي. من خلال قياس كثافة الضوء بعد مروره عبر الفتحة وتحديد علاقته بموقع العينة ، يمكن حساب مؤشر الانكسار غير الخطيn2يستخدم الكاشف في الزاوية العليا اليسرى عادة للكشف عن كثافة الضوء الحادث.
تجدر الإشارة إلى أن بعض الامتصاص غير الخطي (مثل امتصاص فوتونين) قد يؤثر أيضًا على الإشارة المقاسة. ومع ذلك ، يمكن تصحيح هذا عن طريق تسجيل جميع قوى الشعاع المنقولة.
